KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：48

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• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

  上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個(gè)離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性

• HVA 真空閥門（真空閘閥）成功用于激光真空系統(tǒng)

  激光是一種很奇妙的?”物質(zhì)”,?是人類繼原子能、計(jì)算機(jī)和半導(dǎo)體之后人類的又一偉大發(fā)現(xiàn).人們都知道,?激光亮度高,?可以達(dá)到太陽亮度的10億倍甚.激光純凈無比,?單色性好;?激光具有無比的準(zhǔn)直性（直線傳播）;?而且,?激光的能量強(qiáng)大,?瞬間爆發(fā)的能量,?即使堅(jiān)硬的物體也能夠被穿透、熔化.?因