英飛凌IGBT模塊內部構造

時間：2025-04-27

作者：昆山奇沃電子有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅壞的原因及維護方法
可控硅壞的原因：1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
快速熔斷器和普通的熔斷器的區別有哪些？
熔斷器有很多差異的種類，快速熔斷器是這其中一種較為常見的。說白了，從快速熔斷器的名稱大家就可以發覺它相比于其它的熔斷器而言很有可能速率會迅速，因此被稱作快速熔斷器。快速熔斷器為何現如今運用范疇那么普遍，而且專業性遭受眾多行內人士的認可呢？快速熔斷器和一般的熔斷器有什么不同？第一：【容積更小，額定容量更高】，針對一些高新技術規定的人而言，很有可能快速熔斷器會更為合適。第二：【在實際的應用過程中，針對
【進口吸收電容】吸收電容作用
吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。母線電感以及緩沖電路及其元件內部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用
【英飛凌IGBT銷售】IGBT結構
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E）。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區